삼성 또 기술 한계 극복 ‘무한질주’…세계최초 6세대 V낸드 SSD 양산
삼성 또 기술 한계 극복 ‘무한질주’…세계최초 6세대 V낸드 SSD 양산
  • 정창규 기자
  • 승인 2019.08.06 13:39
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초고난도 ‘채널 홀 에칭’ 기술, 5세대 V낸드보다 단수를 약 1.4배 높인 6세대 V낸드 양산 성공
삼성전자 6세대 V낸드 SSD 출시.(사진=삼성전자)
삼성전자 6세대 V낸드 SSD 출시.(사진=삼성전자)

[뉴시안=정창규 기자] 삼성이 또 삼성을 뛰어 넘었다. 삼성전자가 '6세대(1xx단) 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드'를 기반으로 한 '기업용 PC SSD'를 세계 최초로 양산에 성공했다.

6일 삼성전자에 따르면 해당 제품은 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)으로 만들면서도 속도·생산성·절전' 특성을 동시에 향상, 역대 최고의 제품 경쟁력을 확보했다.

삼성전자는 기업용 250GB SATA PC SSD 양산을 시작으로 글로벌 고객 수요 확대에 맞춰 올해 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eUFS 등 다양한 용량과 규격의 제품을 계속 출시할 계획이다. 

삼성전자는 6세대 V낸드를 통해 역대 최고 데이터 전송 속도와 양산성을 동시에 구현하며 초고적층 3차원 낸드플래시의 새로운 패러다임을 제시했다.

피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용해 9x단 이상 V낸드를 생산하는 곳은 현재 업계에서 삼성전자가 유일하다.

3차원 CTF는 셀 안에 전하를 저장하는 공간인 '플로팅게이트'를 부도체로 대체하고 구조를 3차원(원통형)으로 변경해 수직 적층을 용이하게 하는 기술이다.

삼성전자는 초고난도의 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 5세대 V낸드보다 단수를 약1.4배나 높인 6세대 V낸드를 성공적으로 양산했다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 초강력 레이저 및 에칭 물질을 사용해 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술이다.

6세대 V낸드는 전기가 통하는 몰드(Mold)층을 136단 쌓은 후 미세한 원통형의 구멍을 단번에 뚫어 셀 구조물을 연결함으로써 균일한 특성의 3차원 CTF셀을 만들어냈다.

일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵고 전자의 이동경로도 길어져 낸드의 동작 오류가 증가해 데이터 판독시간이 지연되는 문제가 발생한다.

삼성전자는 이러한 기술 한계를 극복하기 위해 6세대 V낸드에 '초고속 설계 기술'을 적용해 3비트 V낸드 역대 최고속도(데이터 쓰기시간 450㎲(마이크로초, 100만분의 1초) 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했다. 또 전 세대보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다. 6세대 V낸드에서 6.7억개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현해 5세대 V낸드(9x단, 약9.3억개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 향상시켰다.

특히 6세대 V낸드는 단일공정을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 제품 개발 주기를 더 단축할 수 있다.

삼성전자는 향후 글로벌 모바일 시장 선점에 나서고, 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하면서 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 3차원 V낸드의 사업 영역을 넓힌다는 계획이다. 또 2020년부터 평택 V낸드 전용 라인에서 성능을 더욱 높인 6세대 V낸드 기반 SSD 라인업을 본격적으로 확대할 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 솔루션 개발실장 경계현 부사장은 "2세대 앞선 초고난도 3차원 메모리 양산 기술 확보로 속도와 전력효율을 더욱 높인 메모리 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 차세대 라인업의 개발 일정을 더 앞당겨 초고속 초고용량 SSD시장을 빠르게 확대시켜 나갈 것이다"고 말했다.


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